Продукція > IXYS > IXFN70N60Q2
IXFN70N60Q2

IXFN70N60Q2 IXYS


media?resourcetype=datasheets&itemid=26451419-90D3-4F24-A471-7858604F72B7&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN70N60Q2-Datasheet.PDF Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN70N60Q2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN70N60Q2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFN70N60Q2 IXFN70N60Q2 Виробник : IXYS ixys_s_a0008595700_1-2273131.pdf Discrete Semiconductor Modules 70 Amps 600V
товар відсутній