IXFN64N50PD3 IXYS

Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 50A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V

товар відсутній

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXFN64N50PD3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 50A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN64N50PD3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	IXFN64N50PD3	Виробник : IXYS	Discrete Semiconductor Modules DiscMSFT N-CH HiPerFET-PolaSOT-227B(mini	товар відсутній