IXFN520N075T2 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2444.05 грн |
10+ | 2091.39 грн |
100+ | 1829.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN520N075T2 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 940W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN520N075T2 за ціною від 1763.89 грн до 2655.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFN520N075T2 | Виробник : IXYS | Discrete Semiconductor Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXFN520N075T2 | Виробник : IXYS | MOSFET N-CH 75V 480A SOT227 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXFN520N075T2 Код товару: 59603 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
IXFN520N075T2 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 75V 480A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IXFN520N075T2 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 75V 480A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IXFN520N075T2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 75V; 480A; SOT227B; screw; Idm: 1.5kA Case: SOT227B On-state resistance: 1.9mΩ Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™ Power dissipation: 940W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 545nC Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single transistor Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain current: 480A Pulsed drain current: 1.5kA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IXFN520N075T2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 75V; 480A; SOT227B; screw; Idm: 1.5kA Case: SOT227B On-state resistance: 1.9mΩ Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™ Power dissipation: 940W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 545nC Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single transistor Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain current: 480A Pulsed drain current: 1.5kA |
товар відсутній |