IXFN50N120SK IXYS
Виробник: IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 115nC
Reverse recovery time: 54ns
Gate-source voltage: -5...20V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4946.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN50N120SK IXYS
Description: SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції IXFN50N120SK за ціною від 4126.81 грн до 6004.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN50N120SK | Виробник : IXYS |
Description: SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 1000 V |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXFN50N120SK | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 48A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 50mΩ Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate charge: 115nC Reverse recovery time: 54ns Gate-source voltage: -5...20V Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN50N120SK | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules SiC Power MOSFET |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFN50N120SK | Виробник : Littelfuse |
SiC Power MOSFET |
товар відсутній |