IXFN50N120SIC IXYS
Виробник: IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 30A; SOT227B; screw; 100nC; 26ns
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Technology: HiPerFET™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 0.1µC
Reverse recovery time: 26ns
Gate-source voltage: -10...25V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5052.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN50N120SIC IXYS
Description: SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції IXFN50N120SIC за ціною від 4144.89 грн до 6062.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN50N120SIC | Виробник : IXYS |
Description: SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 1000 V |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFN50N120SIC | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules SiCarbide-Discrete MOSFET SOT-227B(mini |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXFN50N120SIC | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 30A; SOT227B; screw; 100nC; 26ns Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 50mΩ Technology: HiPerFET™; SiC Kind of channel: enhanced Gate charge: 0.1µC Reverse recovery time: 26ns Gate-source voltage: -10...25V Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFN50N120SIC | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 4-Pin SOT-227B Tube |
товар відсутній |