на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2944.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN40N110P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN40N110P
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFN40N110P | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V |
товар відсутній |