Продукція > IXYS > IXFN38N80Q2

IXFN38N80Q2 IXYS


IXF(K,N,X)38N80Q2.pdf Виробник: IXYS
38A/800V/MOS/1U
на замовлення 114 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN38N80Q2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 38A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 735W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN38N80Q2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFN38N80Q2 IXFN38N80Q2
Код товару: 61225
IXF(K,N,X)38N80Q2.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
IXFN38N80Q2 IXFN38N80Q2 Виробник : IXYS IXF(K,N,X)38N80Q2.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 38A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFN38N80Q2 IXFN38N80Q2 Виробник : IXYS media-3322690.pdf Discrete Semiconductor Modules 38 Amps 800V 0.22 Rds
товар відсутній