IXFN340N07 IXYS
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 70V; 340A; SOT227B; Ugs: ±30V; screw
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 340A
Pulsed drain current: 1.36kA
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4mΩ
Gate charge: 490nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 70V; 340A; SOT227B; Ugs: ±30V; screw
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 340A
Pulsed drain current: 1.36kA
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4mΩ
Gate charge: 490nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3170.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN340N07 IXYS
Description: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 490 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN340N07 за ціною від 2754.9 грн до 3827.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFN340N07 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 70V; 340A; SOT227B; Ugs: ±30V; screw Technology: HiPerFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 70V Drain current: 340A Pulsed drain current: 1.36kA Power dissipation: 700W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4mΩ Gate charge: 490nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 200ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFN340N07 | Виробник : IXYS | Discrete Semiconductor Modules HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A |
на замовлення 489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFN 340N07 |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXFN340N07 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 70V 340A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||||||||||||||
IXFN340N07 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 490 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V |
товар відсутній |