IXFN320N17T2 IXYS
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3977.52 грн |
| 10+ | 3657.02 грн |
| 30+ | 3046.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN320N17T2 IXYS
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 170V; 260A; SOT227B; screw; Idm: 800A, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 170V, Drain current: 260A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 5.2mΩ, Pulsed drain current: 800A, Power dissipation: 1.07kW, Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™, Kind of channel: enhanced, Gate charge: 640nC, Reverse recovery time: 150ns, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFN320N17T2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN320N17T2 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 170V 260A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|
 |
IXFN320N17T2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 170V; 260A; SOT227B; screw; Idm: 800A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 170V Drain current: 260A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 5.2mΩ Pulsed drain current: 800A Power dissipation: 1.07kW Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™ Kind of channel: enhanced Gate charge: 640nC Reverse recovery time: 150ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFN320N17T2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 |
товар відсутній |
|
|
|
IXFN320N17T2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 170V; 260A; SOT227B; screw; Idm: 800A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 170V Drain current: 260A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 5.2mΩ Pulsed drain current: 800A Power dissipation: 1.07kW Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™ Kind of channel: enhanced Gate charge: 640nC Reverse recovery time: 150ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |