IXFN300N20X3

IXFN300N20X3 Littelfuse Inc.


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn300n20x3_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 300A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3228.08 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN300N20X3 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 200V 300A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 150A, 10V, Power Dissipation (Max): 695W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN300N20X3 за ціною від 2347.9 грн до 3475.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFN300N20X3 IXFN300N20X3 Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0009972217-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFN300N20X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 300 A, 200 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 695W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3363.28 грн
5+ 3180.34 грн
10+ 2996.61 грн
50+ 2480.57 грн
IXFN300N20X3 IXFN300N20X3 Виробник : IXYS media-3320570.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 MINI
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3475.04 грн
10+ 3142.49 грн
20+ 2671.27 грн
50+ 2558.37 грн
100+ 2398.77 грн
200+ 2347.9 грн
IXFN300N20X3 IXFN300N20X3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 300A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN300N20X3 IXFN300N20X3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 300A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN300N20X3 IXFN300N20X3 Виробник : IXYS IXFN300N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 300A; SOT227B; screw; Idm: 700A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.5mΩ
Pulsed drain current: 700A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 375nC
Reverse recovery time: 172ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFN300N20X3 IXFN300N20X3 Виробник : IXYS IXFN300N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 300A; SOT227B; screw; Idm: 700A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.5mΩ
Pulsed drain current: 700A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 375nC
Reverse recovery time: 172ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товар відсутній