Продукція > IXYS > IXFN280N085

IXFN280N085 IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn280n085_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
280A/85V/MOS/1U
на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN280N085 IXYS

Description: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN280N085

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFN280N085 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn280n085_datasheet.pdf.pdf MODULE
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFN280N085 IXFN280N085 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 85V 280A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN280N085 IXFN280N085 Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 85V 280A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN280N085 IXFN280N085 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn280n085_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFN280N085 IXFN280N085 Виробник : IXYS media-3321136.pdf Discrete Semiconductor Modules 280 Amps 85V 0.0044 Rds
товар відсутній