на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3828.67 грн |
10+ | 3578.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN27N120SK IXYS
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 1.2kV; 21.5A; SOT227B; screw; SiC; 160nC, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 21.5A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 80mΩ, Technology: SiC, Kind of channel: enhanced, Gate charge: 160nC, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFN27N120SK
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IXFN27N120SK | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 21.5A; SOT227B; screw; SiC; 160nC Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 21.5A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 80mΩ Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate charge: 160nC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
IXFN27N120SK | Виробник : IXYS | Description: SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22 |
товару немає в наявності |
||
IXFN27N120SK | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 21.5A; SOT227B; screw; SiC; 160nC Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 21.5A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 80mΩ Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate charge: 160nC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |