![IXFN26N120P IXFN26N120P](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/35/5B/A0/00/0/701779_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=1b65a09142ebd0f3790e25093d6401764e2cb955)
IXFN26N120P IXYS
![IXFN26N120P.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 255nC
Reverse recovery time: 300ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3483.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN26N120P IXYS
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 23A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 0.5Ω, Pulsed drain current: 60A, Power dissipation: 695W, Technology: HiPerFET™; Polar™, Kind of channel: enhanced, Gate charge: 255nC, Reverse recovery time: 300ns, Gate-source voltage: ±40V, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFN26N120P за ціною від 4180.41 грн до 4180.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFN26N120P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 23A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.5Ω Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 695W Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhanced Gate charge: 255nC Reverse recovery time: 300ns Gate-source voltage: ±40V Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IXFN26N120P | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IXFN26N120P | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |