Продукція > IXYS > IXFN26N120P
IXFN26N120P

IXFN26N120P IXYS


IXFN26N120P.pdf Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 255nC
Reverse recovery time: 300ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3483.67 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN26N120P IXYS

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 23A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 0.5Ω, Pulsed drain current: 60A, Power dissipation: 695W, Technology: HiPerFET™; Polar™, Kind of channel: enhanced, Gate charge: 255nC, Reverse recovery time: 300ns, Gate-source voltage: ±40V, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXFN26N120P за ціною від 4180.41 грн до 4180.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFN26N120P IXFN26N120P Виробник : IXYS IXFN26N120P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 23A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 255nC
Reverse recovery time: 300ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4180.41 грн
IXFN26N120P IXFN26N120P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn26n120p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
товар відсутній
IXFN26N120P IXFN26N120P Виробник : IXYS media-3323867.pdf Discrete Semiconductor Modules 26 Amps 1200V
товар відсутній