![IXFN26N100P IXFN26N100P](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/35/5B/A0/00/0/701779_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=1b65a09142ebd0f3790e25093d6401764e2cb955)
IXFN26N100P IXYS
![IXFN26N100P.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 390mΩ
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3387.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN26N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 595W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN26N100P за ціною від 3580.67 грн до 4065.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFN26N100P | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 25 V |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IXFN26N100P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 23A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 595W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 390mΩ Gate charge: 197nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 300ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IXFN26N100P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IXFN26N100P | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |