![IXFN240N15T2 IXFN240N15T2](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/35/5B/A0/00/0/701779_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=1b65a09142ebd0f3790e25093d6401764e2cb955)
IXFN240N15T2 IXYS
![IXFN240N15T2.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 460nC
Reverse recovery time: 140ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2280.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN240N15T2 IXYS
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 240A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 5.2mΩ, Pulsed drain current: 600A, Power dissipation: 830W, Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™, Kind of channel: enhanced, Gate charge: 460nC, Reverse recovery time: 140ns, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFN240N15T2 за ціною від 2736.59 грн до 2736.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFN240N15T2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 150V Drain current: 240A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 5.2mΩ Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 830W Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™ Kind of channel: enhanced Gate charge: 460nC Reverse recovery time: 140ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IXFN240N15T2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IXFN240N15T2 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IXFN240N15T2 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |