IXFN230N20T Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1090W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1090W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2392.98 грн |
10+ | 1765.12 грн |
100+ | 1710.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN230N20T Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXFN230N20T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 220 A, 200 V, 0.0075 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 220A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.09kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.09kW, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXFN230N20T за ціною від 1552.5 грн до 2636.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFN230N20T | Виробник : IXYS | MOSFET Modules 230A 200V |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFN230N20T | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFN230N20T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 220 A, 200 V, 0.0075 ohm, 10 V, 5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.09kW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.09kW Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFN230N20T | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 220A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
IXFN230N20T | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 220A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
IXFN230N20T | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 220A; SOT227B; screw; Idm: 630A Type of module: MOSFET transistor Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate charge: 358nC Technology: GigaMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 630A Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 220A On-state resistance: 7.5mΩ Power dissipation: 1090W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
IXFN230N20T | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 220A; SOT227B; screw; Idm: 630A Type of module: MOSFET transistor Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate charge: 358nC Technology: GigaMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 630A Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 220A On-state resistance: 7.5mΩ Power dissipation: 1090W |
товару немає в наявності |