![IXFN220N20X3 IXFN220N20X3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/408/IXYN82N120C3H1.jpg)
IXFN220N20X3 Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn220n20x3_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 200V 160A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1804.77 грн |
10+ | 1584.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN220N20X3 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 160A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V, Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN220N20X3 за ціною від 1860.61 грн до 2543.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFN220N20X3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFN220N20X3 | Виробник : IXYS |
![]() ![]() Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A Case: SOT227B On-state resistance: 6.2mΩ Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 204nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 500A Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 128ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 160A |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFN220N20X3 | Виробник : IXYS |
![]() ![]() Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A Case: SOT227B On-state resistance: 6.2mΩ Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 204nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 500A Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 128ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 160A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFN220N20X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |