IXFN210N30X3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.6mΩ
Pulsed drain current: 650A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 375nC
Reverse recovery time: 190ns
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2631.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN210N30X3 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFN210N30X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 210 A, 300 V, 0.0038 ohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 695W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 695W, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXFN210N30X3 за ціною від 2327.59 грн до 3434.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFN210N30X3 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 300V Drain current: 210A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 4.6mΩ Pulsed drain current: 650A Power dissipation: 695W Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhanced Gate charge: 375nC Reverse recovery time: 190ns Gate-source voltage: ±20V Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFN210N30X3 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 105A, 10V Power Dissipation (Max): 695W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFN210N30X3 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFN210N30X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 210 A, 300 V, 0.0038 ohm, 10 V, 4.5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 695W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 695W Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFN210N30X3 | Виробник : IXYS |
MOSFETs MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 MINI |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFN210N30X3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 210A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |