IXFN170N25X3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 250V; 146A; SOT227B; screw; Idm: 400A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 146A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.4mΩ
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 390W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 135ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2024.06 грн |
| 2+ | 1777.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN170N25X3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V, Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN170N25X3 за ціною від 1657.26 грн до 2698.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFN170N25X3 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 250V; 146A; SOT227B; screw; Idm: 400A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 250V Drain current: 146A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.4mΩ Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 390W Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhanced Gate charge: 0.19µC Reverse recovery time: 135ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFN170N25X3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFN170N25X3 | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFN170N25X3 | Виробник : Littelfuse |
Power MOSFET |
товар відсутній |