IXFN160N30T

IXFN160N30T Littelfuse Inc.


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn160n30t_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2197.54 грн
10+ 1880.58 грн
100+ 1644.79 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN160N30T Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 900W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFN160N30T за ціною від 1590.36 грн до 2435.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFN160N30T IXFN160N30T Виробник : IXYS media-3321903.pdf Discrete Semiconductor Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2435.94 грн
10+ 2134.26 грн
100+ 1623.11 грн
200+ 1590.36 грн
IXFN160N30T
Код товару: 162434
littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn160n30t_datasheet.pdf.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXFN160N30T IXFN160N30T Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn160n30t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 130A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN160N30T IXFN160N30T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 130A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXFN160N30T IXFN160N30T Виробник : IXYS IXFN160N30T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 130A; SOT227B; screw; Idm: 444A
Technology: GigaMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 444A
Power dissipation: 900W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Gate charge: 376nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFN160N30T IXFN160N30T Виробник : IXYS IXFN160N30T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 130A; SOT227B; screw; Idm: 444A
Technology: GigaMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 444A
Power dissipation: 900W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Gate charge: 376nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній