Технічний опис IXFN100N20 IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN100N20
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFN100N20 | Виробник : IXYS |
 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IXFN100N20 | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 100A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|
 |
IXFN100N20 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IXFN100N20 | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 100 Amps 200V 0.023 Rds |
товар відсутній |