Продукція > IXYS > IXFL70N60Q2

IXFL70N60Q2 IXYS


Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFL70N60Q2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: ISOPLUS264™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFL70N60Q2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFL70N60Q2 IXFL70N60Q2 Виробник : IXYS ixys_ds100068aixfl70n60q2-1547722.pdf MOSFET 70 Amps 600V
товар відсутній