![IXFL32N120P IXFL32N120P](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/88/00/B0/00/0/721032_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=03d064c3e07007d97352889a0faade735477998a)
IXFL32N120P IXYS
![IXFL32N120P.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 24A; 520W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 520W
Case: ISOPLUS i5-pac™
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3422.69 грн |
25+ | 3117.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFL32N120P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 24A I5PAK, Packaging: Tube, Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFL32N120P за ціною від 3884.55 грн до 4107.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFL32N120P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 24A; 520W; ISOPLUS i5-pac™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 24A Power dissipation: 520W Case: ISOPLUS i5-pac™ On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Gate charge: 360nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IXFL32N120P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
IXFL32N120P | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
IXFL32N120P | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |