![IXFK300N20X3 IXFK300N20X3](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/4C/8D/00/00/0/55492_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=218422aa1d96256f4041d372a37f8263511df256)
IXFK300N20X3 IXYS
![IXF_300N20X3.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
![200VProductBrief.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; TO264
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25kW
Kind of package: tube
Gate charge: 375nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 170ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1856.92 грн |
2+ | 1630.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK300N20X3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 300A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 150A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK300N20X3 за ціною від 1532.26 грн до 2495.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFK300N20X3 | Виробник : IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; TO264 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.25kW Kind of package: tube Gate charge: 375nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO264 Reverse recovery time: 170ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 300A On-state resistance: 4mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFK300N20X3 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V |
на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFK300N20X3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFK300N20X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |