Продукція > IXF > IXFK110N07

IXFK110N07


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfk110n07_datasheet.pdf.pdf Виробник:

на замовлення 1073 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK110N07

Description: MOSFET N-CH 70V 110A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFK110N07

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFK110N07 IXFK110N07 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 70V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товар відсутній
IXFK110N07 IXFK110N07 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfk110n07_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 70V 110A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFK110N07 IXFK110N07 Виробник : IXYS media-3321106.pdf MOSFETs 70V 110A
товар відсутній