Продукція > IXYS > IXFH26N50P
IXFH26N50P

IXFH26N50P IXYS


IXFH26N50P.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+500.67 грн
3+ 342.64 грн
7+ 323.61 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH26N50P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarHV HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFH26N50P за ціною від 312.26 грн до 600.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFH26N50P IXFH26N50P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh26n50p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+548.18 грн
30+ 421.47 грн
120+ 377.1 грн
510+ 312.26 грн
IXFH26N50P IXFH26N50P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh26n50p_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHV HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+554.29 грн
5+ 498.31 грн
10+ 441.54 грн
50+ 388.77 грн
100+ 338.59 грн
250+ 331.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH26N50P IXFH26N50P Виробник : IXYS media-3320707.pdf MOSFETs HiPERFET Id26 BVdass500
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+598.6 грн
10+ 589.24 грн
30+ 409.06 грн
120+ 367.59 грн
IXFH26N50P IXFH26N50P Виробник : IXYS IXFH26N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+600.81 грн
3+ 426.99 грн
7+ 388.33 грн
510+ 373.39 грн
IXFH26N50P Виробник : Ixys Semiconductor GmbH littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh26n50p_datasheet.pdf.pdf ( N-CH U=500В I= 26 A R= 0.23 Om P=400W TO-247) задержка 200 нсек
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IXFH26N50P
Код товару: 127550
littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh26n50p_datasheet.pdf.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXFH26N50P IXFH26N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH26N50P IXFH26N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній