![IXFH22N50P IXFH22N50P](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2263/TO-247_IXFH.jpg)
IXFH22N50P Littelfuse Inc.
![media?resourcetype=datasheets&itemid=1DAB3767-C3C0-4B6D-BD48-CA28F3D9768D&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH22N50P-Datasheet.PDF](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 25 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 440.49 грн |
30+ | 338.47 грн |
120+ | 302.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH22N50P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 350W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH22N50P за ціною від 278.84 грн до 473.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH22N50P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 827 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXFH22N50P | Виробник : Ixys Semiconductor GmbH |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
IXFH22N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
IXFH22N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
IXFH22N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXFH22N50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 22A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXFH22N50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 22A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |