IXFH220N20X3 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 220A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 1138.35 грн |
| 90+ | 1027.67 грн |
| 300+ | 959.16 грн |
| 750+ | 822.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH220N20X3 Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXFH220N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 220 A, 0.0052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 220A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXFH220N20X3 за ціною від 894.6 грн до 1463.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH220N20X3 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFH220N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 220 A, 0.0052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFH220N20X3 | Виробник : IXYS |
MOSFETs MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44 |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFH220N20X3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXFH220N20X3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 6.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Gate charge: 204nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Reverse recovery time: 116ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 220A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXFH220N20X3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 6.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Gate charge: 204nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Reverse recovery time: 116ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 220A |
товар відсутній |