на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 895.18 грн |
| 10+ | 778.21 грн |
| 30+ | 657.89 грн |
| 60+ | 620.95 грн |
| 120+ | 584.71 грн |
| 270+ | 565.89 грн |
| 510+ | 531.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH18N90P IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH18N90P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH18N90P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 900V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|
 |
IXFH18N90P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 18A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 97nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFH18N90P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXFH18N90P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 18A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 97nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |