![IXFH18N100Q3 IXFH18N100Q3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2263/TO-247_IXFH.jpg)
IXFH18N100Q3 Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_18n100q3_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4890 pF @ 25 V
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1434.89 грн |
30+ | 1118.67 грн |
120+ | 1052.89 грн |
510+ | 895.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH18N100Q3 Littelfuse Inc.
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFH18N100Q3 за ціною від 913.52 грн до 1543.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH18N100Q3 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 830W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFH18N100Q3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFH18N100Q3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXFH18N100Q3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 18A Power dissipation: 830W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.66Ω Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXFH18N100Q3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 18A Power dissipation: 830W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.66Ω Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |