![IXFH15N100Q3 IXFH15N100Q3](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/2D/F3/00/00/0/16338_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f55ae6487ff4139e26964e5e5e8dbeb7f97a7f06)
IXFH15N100Q3 IXYS
![IXF_15N100Q3.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 957.7 грн |
3+ | 841.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH15N100Q3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 15 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 690W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Q3-Class HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXFH15N100Q3 за ціною від 843.32 грн до 1555.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH15N100Q3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH15N100Q3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Q3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 15A Power dissipation: 690W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH15N100Q3 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 690W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Q3-Class HiperFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH15N100Q3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 438-447 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH15N100Q3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH15N100Q3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXFH15N100Q3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXFH15N100Q3 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 690W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V |
товар відсутній |