![IXFH150N20T IXFH150N20T](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/2D/F3/00/00/0/16338_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f55ae6487ff4139e26964e5e5e8dbeb7f97a7f06)
IXFH150N20T IXYS
![IXFH(T)150N20T.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 972.55 грн |
3+ | 854.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH150N20T IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 150A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH150N20T за ціною від 827 грн до 1325.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH150N20T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 150A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 177nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 100ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH150N20T | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 25 V |
на замовлення 922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH150N20T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXFH150N20T | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |