![IXFH140N10P IXFH140N10P](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/66f70acc06c4c00c002eec6b9e7124b676962a4e/247.jpg)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 464.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH140N10P Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH140N10P за ціною від 378.75 грн до 722.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH140N10P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH140N10P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH140N10P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 2314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH140N10P | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V |
на замовлення 763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH140N10P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH140N10P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |