![IXFH110N15T2 IXFH110N15T2](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/2D/F3/00/00/0/16338_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f55ae6487ff4139e26964e5e5e8dbeb7f97a7f06)
IXFH110N15T2 IXYS
![IXFH110N15T2.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 444.54 грн |
3+ | 370.78 грн |
7+ | 350.51 грн |
10+ | 346.16 грн |
30+ | 338.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH110N15T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 110A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH110N15T2 за ціною від 405.83 грн до 548.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH110N15T2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 85ns Drain-source voltage: 150V Drain current: 110A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 150nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH110N15T2 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH110N15T2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXFH110N15T2 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |