IXFH100N25P

IXFH100N25P Littelfuse Inc.


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh100n25p_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+848.3 грн
30+ 661.2 грн
120+ 622.32 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH100N25P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH100N25P за ціною від 670.02 грн до 1031.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFH100N25P IXFH100N25P Виробник : IXYS IXFH100N25P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+859.44 грн
IXFH100N25P IXFH100N25P Виробник : IXYS IXFH100N25P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1031.33 грн
2+ 736.4 грн
3+ 708.25 грн
4+ 670.02 грн
IXFH100N25P IXFH100N25P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH100N25P IXFH100N25P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH100N25P IXFH100N25P Виробник : IXYS media-3319739.pdf MOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
товар відсутній