Продукція > IXYS > IXFB70N60Q2

IXFB70N60Q2 IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb70n60q2_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFB70N60Q2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFB70N60Q2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFB70N60Q2 IXFB70N60Q2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb70n60q2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB70N60Q2 IXFB70N60Q2 Виробник : IXYS media-3323009.pdf MOSFET 70 Amps 600V
товар відсутній