![IXFB132N50P3 IXFB132N50P3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/401/TO264.jpg)
IXFB132N50P3 Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb132n50p3_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1828.96 грн |
25+ | 1460.04 грн |
100+ | 1368.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFB132N50P3 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V, Power Dissipation (Max): 1890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFB132N50P3 за ціною від 1165.18 грн до 1993.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFB132N50P3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFB132N50P3 Код товару: 94706 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
![]() |
IXFB132N50P3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXFB132N50P3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 132A; 1890W; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 132A Power dissipation: 1890W Case: PLUS264™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 267nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXFB132N50P3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 132A; 1890W; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 132A Power dissipation: 1890W Case: PLUS264™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 267nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns |
товар відсутній |