Продукція > LITTELFUSE INC. > IXFB100N50P
IXFB100N50P

IXFB100N50P Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb100n50p_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2140.4 грн
25+ 1708.49 грн
100+ 1601.7 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFB100N50P Littelfuse Inc.

Description: LITTELFUSE - IXFB100N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.049 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.89kW, Bauform - Transistor: PLUS264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції IXFB100N50P за ціною від 1467.88 грн до 2355.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFB100N50P IXFB100N50P Виробник : LITTELFUSE IXYS-S-A0008597163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFB100N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.049 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2203.75 грн
5+ 2015.86 грн
10+ 1827.17 грн
50+ 1643.43 грн
100+ 1467.88 грн
IXFB100N50P IXFB100N50P Виробник : IXYS media-3323288.pdf MOSFETs 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2355.66 грн
10+ 1840.47 грн
50+ 1496.08 грн
100+ 1472.66 грн
IXFB100N50P IXFB100N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
товару немає в наявності
IXFB100N50P IXFB100N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
товару немає в наявності
IXFB100N50P IXFB100N50P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb100n50p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
товару немає в наявності
IXFB100N50P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb100n50p_datasheet.pdf.pdf IXFB100N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності