![IXFA8N85XHV IXFA8N85XHV](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/11/8C/A0/00/0/706577_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=a504eb2197f883ac0ae9bd4a6b3114f2e29705fd)
IXFA8N85XHV IXYS
![IXFP(Q)8N85X_HV.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 8A; Idm: 16A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 200W
Case: TO263HV
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 125ns
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 392.46 грн |
3+ | 324.5 грн |
8+ | 307.08 грн |
10+ | 304.9 грн |
50+ | 298.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA8N85XHV IXYS
Description: MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFA8N85XHV за ціною від 358.04 грн до 470.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFA8N85XHV | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 8A; Idm: 16A; 200W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 8A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 200W Case: TO263HV Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 125ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFA8N85XHV | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
IXFA8N85XHV | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |