IXFA72N30X3

IXFA72N30X3 Littelfuse Inc.


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfa72n30x3_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+684.52 грн
50+ 526.62 грн
100+ 471.18 грн
500+ 390.16 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFA72N30X3 Littelfuse Inc.

Description: LITTELFUSE - IXFA72N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 72 A, 0.019 ohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300, Dauer-Drainstrom Id: 72, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 390, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390, Bauform - Transistor: TO-263, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції IXFA72N30X3 за ціною від 387.48 грн до 748.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFA72N30X3 IXFA72N30X3 Виробник : IXYS media-3322194.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+736.64 грн
10+ 633.95 грн
50+ 518.5 грн
100+ 465.54 грн
250+ 446.02 грн
500+ 410.48 грн
1000+ 387.48 грн
IXFA72N30X3 IXFA72N30X3 Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007925193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFA72N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 72 A, 0.019 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 72
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 390
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+748.96 грн
5+ 713 грн
10+ 676.25 грн
50+ 574.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA72N30X3 IXFA72N30X3 Виробник : IXYS IXFA72N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain current: 72A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 300V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA72N30X3 IXFA72N30X3 Виробник : Littelfuse sfets_n-channel_ultra_junction_ixfa72n30x3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA72N30X3 IXFA72N30X3 Виробник : IXYS IXFA72N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain current: 72A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 300V
товар відсутній