на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 416.09 грн |
10+ | 364.76 грн |
50+ | 269.1 грн |
100+ | 247.57 грн |
250+ | 229.63 грн |
500+ | 218.87 грн |
1000+ | 198.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA5N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFA5N100P
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IXFA5N100P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
IXFA5N100P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||
IXFA5N100P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 5A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Gate charge: 33.4nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhanced Case: TO263 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
IXFA5N100P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 5A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Gate charge: 33.4nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhanced Case: TO263 |
товар відсутній |