![IXFA24N60X IXFA24N60X](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/A8/2E/00/00/0/57994_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=55549db1bb3cf69cf46f82fe25a56068d587bde5)
IXFA24N60X IXYS
![IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 385.42 грн |
3+ | 322.32 грн |
4+ | 256.26 грн |
10+ | 242.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA24N60X IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO263AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFA24N60X за ціною від 290.96 грн до 462.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFA24N60X | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 400W Case: TO263 On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 140ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFA24N60X | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXFA24N60X | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |