![IXFA230N075T2-7 IXFA230N075T2-7](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/06/7E/00/00/0/59232_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f1733d37e0de99c8db0cf5043e898e2cd3a7afd6)
IXFA230N075T2-7 IXYS
![IXFA230N075T2-7.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263-7; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 351.73 грн |
3+ | 279.54 грн |
9+ | 264.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA230N075T2-7 IXYS
Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFA230N075T2-7 за ціною від 317.19 грн до 461.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFA230N075T2-7 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263-7; 59ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 230A Power dissipation: 480W Case: TO263-7 On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 178nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 59ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFA230N075T2-7 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFA230N075T2-7 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |