на замовлення 262 шт:
термін постачання 485-494 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 933.4 грн |
| 10+ | 919.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXDR30N120D1 IXYS
Description: IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, IGBT Type: NPT, Switching Energy: 4.6mJ (on), 3.4mJ (off), Test Condition: 600V, 30A, 47Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 200 W.
Інші пропозиції IXDR30N120D1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXDR30N120D1 | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 200000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товар відсутній |
|
 |
IXDR30N120D1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: ISOPLUS247™ IGBT Type: NPT Switching Energy: 4.6mJ (on), 3.4mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 200 W |
товар відсутній |