IXBT42N300HV IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 42A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 652ns
Turn-off time: 950ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 200nC
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3369.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBT42N300HV IXYS
Description: IGBT 3000V 104A TO268HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A, Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT), Td (on/off) @ 25°C: 72ns/445ns, Test Condition: 1500V, 42A, 20Ohm, 15V, Gate Charge: 200 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 104 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A, Power - Max: 500 W.
Інші пропозиції IXBT42N300HV за ціною від 2750.72 грн до 4056.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBT42N300HV | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 3000V 104A TO268HV Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT) Td (on/off) @ 25°C: 72ns/445ns Test Condition: 1500V, 42A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Current - Collector (Ic) (Max): 104 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A Power - Max: 500 W |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXBT42N300HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV Case: TO268HV Mounting: SMD Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 42A Pulsed collector current: 400A Turn-on time: 652ns Turn-off time: 950ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 500W Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 200nC Technology: BiMOSFET™ Collector-emitter voltage: 3kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXBT42N300HV | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT |
на замовлення 2137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|