IXBT2N250 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 32W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 10.6nC
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13A
Turn-on time: 310ns
Turn-off time: 252ns
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1232.89 грн |
| 3+ | 1082.39 грн |
| 10+ | 1069.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBT2N250 IXYS
Description: IGBT 2500V 5A TO268AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 920 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A, Supplier Device Package: TO-268AA, Gate Charge: 10.6 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A, Power - Max: 32 W.
Інші пропозиції IXBT2N250 за ціною від 977.77 грн до 1616.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXBT2N250 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268 Case: TO268 Mounting: SMD Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 32W Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 10.6nC Technology: BiMOSFET™ Collector-emitter voltage: 2.5kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 2A Pulsed collector current: 13A Turn-on time: 310ns Turn-off time: 252ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXBT2N250 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 2500V 5A TO268AA Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 920 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A Supplier Device Package: TO-268AA Gate Charge: 10.6 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A Power - Max: 32 W |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXBT2N250 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXBT2N250 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |