IXBT2N250-TR

IXBT2N250-TR Littelfuse


media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 2500V 5A 32000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBT2N250-TR Littelfuse

Description: IGBT 2500V 5A TO268, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 920 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A, Supplier Device Package: TO-268, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns, Test Condition: 2000V, 2A, 47Ohm, 15V, Gate Charge: 10.6 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A, Power - Max: 32 W.

Інші пропозиції IXBT2N250-TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXBT2N250-TR Виробник : IXYS Description: IGBT 2500V 5A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-268
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns
Test Condition: 2000V, 2A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 10.6 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
товар відсутній
IXBT2N250-TR IXBT2N250-TR Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_2N250_Datas-1621700.pdf MOSFET IXBT2N250 TR
товар відсутній