IXBT12N300HV IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT 3000V 30A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/180ns
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2566.02 грн |
| 30+ | 2070.87 грн |
| 120+ | 1932.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBT12N300HV IXYS
Description: IGBT 3000V 30A TO268HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A, Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT), Td (on/off) @ 25°C: 64ns/180ns, Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 62 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 160 W.
Інші пропозиції IXBT12N300HV за ціною від 1904.74 грн до 2788 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBT12N300HV | Виробник : IXYS |
IGBTs TO268 3KV 12A BIMOSFET |
на замовлення 300 шт: термін постачання 266-275 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXBT12N300HV | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin(2+Tab) D3PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXBT12N300HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 30A; 160W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™ Collector-emitter voltage: 3kV Collector current: 30A Power dissipation: 160W Case: TO268 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 98A Mounting: SMD Gate charge: 62nC Turn-on time: 64ns Turn-off time: 180ns Features of semiconductor devices: high voltage кількість в упаковці: 300 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXBT12N300HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 30A; 160W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™ Collector-emitter voltage: 3kV Collector current: 30A Power dissipation: 160W Case: TO268 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 98A Mounting: SMD Gate charge: 62nC Turn-on time: 64ns Turn-off time: 180ns Features of semiconductor devices: high voltage |
товар відсутній |