![IXA60IF1200NA IXA60IF1200NA](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/6A/28/B0/00/0/754342_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=54646f5a3697dc749120a800e6384b5e9a46f589)
IXA60IF1200NA IXYS
![IXA60IF1200NA.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B
Technology: XPT™
Collector current: 56A
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1637.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXA60IF1200NA IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXA60IF1200NA - IGBT-Modul, Einfach, 88 A, 2.1 V, 290 W, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V, Dauer-Kollektorstrom: 88A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 88A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXA60IF1200NA за ціною від 1725.01 грн до 3265.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXA60IF1200NA | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B Technology: XPT™ Collector current: 56A Power dissipation: 290W Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: high voltage Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXA60IF1200NA | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis, Stud Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: PT Current - Collector (Ic) (Max): 88 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 290 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXA60IF1200NA | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V Dauer-Kollektorstrom: 88A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 290W Bauform - Transistor: SOT-227B Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 88A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXA60IF1200NA | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IXA60IF1200NA Код товару: 116936 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IXA60IF1200NA | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXA60IF1200NA | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |