IXA4IF1200TC IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 5A; 45W; TO268
Mounting: SMD
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 9A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Case: TO268
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXA4IF1200TC IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 5A; 45W; TO268, Mounting: SMD, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 5A, Pulsed collector current: 9A, Turn-on time: 110ns, Turn-off time: 350ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 45W, Kind of package: tube, Gate charge: 12nC, Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™, Case: TO268, Collector-emitter voltage: 1.2kV, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXA4IF1200TC
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXA4IF1200TC | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors XPT IGBT Copack |
товар відсутній |
|
|
|
IXA4IF1200TC | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 5A; 45W; TO268 Mounting: SMD Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 5A Pulsed collector current: 9A Turn-on time: 110ns Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 45W Kind of package: tube Gate charge: 12nC Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™ Case: TO268 Collector-emitter voltage: 1.2kV |
товар відсутній |